Mechanical Dimensions
Figure 22. TO-220 3L - TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
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?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
SGP10N60RUFD Rev. C2
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相关代理商/技术参数
SGP10N60RUFTU 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP1200-12G 功能描述:线性和开关式电源 90-264 VAC 1133W 12V Output RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 产品:Switching Supplies 开放式框架/封闭式:Enclosed 输出功率额定值:800 W 输入电压:85 VAC to 265 VAC 输出端数量:1 输出电压(通道 1):20 V 输出电流(通道 1):40 A 商用/医用: 输出电压(通道 2): 输出电流(通道 2): 安装风格:Rack 长度: 宽度: 高度:
SGP13N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGP13N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGP13N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP13N60UFTU 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP15A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:GPS SMT Patch Antenna
SGP15N120 功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube